第四百七十四章存储芯片（第1页）

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这时，一直没说话的夏培肃开口道：“庞总，你的意思是，星环科技未来的发展方向是开发一种全新的互联网终端，并且依靠这种终端，支撑起一个全新的系统和指令集架构体系，并且形成生态闭环？”

庞学林笑着点了点头，说道：“没错，就是这个意思。”

夏培肃皱眉道：“如果这样的话，那段时间内，海思半导体只有投入，没有产出，你能撑多久？”

庞学林微微一笑，说道：“这个不难，华威接下来准备进军移动通信运营商业务，有很多芯片都需要从国外采购，海思半导体可以承接部分芯片比如dsp芯片，asic芯片，fpga芯片等等的研发工作。另外，在消费者业务领域，我们还准备做快闪储存器以及第二代同步动态随机存取内存。”

“快闪储存？第二代同步动态随机存取内存？”

夏培肃和倪光南对视一眼，均吃了一惊。

快闪储存，指的就是闪存。

在这个时代，这两项技术都尚未完全成熟。

1984年，东芝公司的舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器的概念。

与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性，其记录速度也非常快。

英特尔是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。

1988年，英特尔公司推出了一款256kbit闪存芯片。

它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。

后来，英特尔发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom（可擦除可编程只读存储器）和eeprom（电可擦除可编程只读存储器）两项技术，并拥有一个sram接口。

eprom是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。

其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式mos电路，简称为famos。

它与mos电路相似，是在n型基片上生长出两个高浓度的p型区，通过欧姆接触分别引出源极s和漏极d。

在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在sio2绝缘层中，与四周无直接电气联接。

这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使mos管导通，即表示存入0。

若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，mos管不导通，即存入1。

eeprom基本存储单元电路的工作原理与eprom相似，它是在eprom基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。

可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压vg。

若vg为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。

若使vg为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。

闪存的基本单元电路，与eeprom类似，也是由双层浮空栅mos管组成。

但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。

写入方法与eeprom相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。

读出方法与eprom相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。

由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。

相比于第一种nor闪存。

第二种闪存称为nand闪存。

它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。

nand闪存的写周期比nor闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。

nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了更好的性能。

nor型与nand型闪存的区别很大。

打个比方说，nor型闪存更像是内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小。

而nand型更像硬盘，地址线和数据线是共用的io线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且nand型与nor型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。

因此，nor型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用nor型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；nand型闪存主要用来存储资料，如闪存盘、数码存储卡都是用nand型闪存。

夏培肃皱眉道：“庞总，我印象中，闪存的市场现在并不大吧，应用范围也很窄，而且技术主要掌握在三星、日立、英特尔等大厂手里，搞这个能赚到钱吗？”

庞学林笑了起来，说道：“夏院士，您放心好了，闪存市场恐怕比你想像得要大很多！有些东西涉及商业机密，我暂时没办法向您透露，但我敢保证，单单一个闪存，就足以让海思半导体吃得盆满钵满。

夏培肃和倪光南对视一眼，对庞学林的自信有些吃惊。

庞学林却没有在意这两位大佬的想法，他完全不担心闪存的问题。